| 概要 |
半導体デバイスの性能向上や不良解析において、素子界面や膜中に存在する微小応力を解析するニーズが高まっています。電子線を用いた格子歪み評価法には、収束電子線回折（CBED：Convergent Beam Electron Diffraction）法やナノ電子線回折（NBD：Nano Beam Electron Diffraction）法などがあります。CBED法では、格子歪みに関する感度は高いのですが、高次ラウエゾーン（Higher Order Laue Zone：HOLZ）線の抽出やシミュレーションなどが… |
