Hitachi

サイト名称 日立ハイテク

タイトル トリプルビーム装置によるFIBダメージ層除去
詳細リンク APPLICATION_SMI_005
概要 化合物半導体やシリコン系半導体の高集積回路の高分解能観察用TEM試料作製において、FIBによるダメージ層の問題が顕在化してきています。加速電圧30kVのFIBによってシリコン中に生成されるダメージ層は片面30nm弱となるため、TEM試料厚みを60nm以下としてしまうと、試料中の結晶構造が全て非晶質となってしまいます。
この問題を解決するために、当社のトリプルビーム装置では低加速アルゴンイオン銃を搭載しています。アルゴンイオン銃は、イオンビーム由来のダメージ層を削り取る目的に用…
製品中分類 集束イオンビーム
研究大分野
研究中分野 ・セラミックス・ガラス・鉱物・バイオミネラル
・金属・磁性材料
・半導体材料・デバイス・電子部品・ディスプレイ・照明
・ナノ材料・触媒・電池材料・複合材料・膜結晶
・電気
・電池
情報種別 テクニカルデータ/データシート
発行日 2006/04/01
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