タイトル | トリプルビーム装置によるFIBダメージ層除去 |
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詳細リンク | APPLICATION_SMI_005 |
概要 | 化合物半導体やシリコン系半導体の高集積回路の高分解能観察用TEM試料作製において、FIBによるダメージ層の問題が顕在化してきています。加速電圧30kVのFIBによってシリコン中に生成されるダメージ層は片面30nm弱となるため、TEM試料厚みを60nm以下としてしまうと、試料中の結晶構造が全て非晶質となってしまいます。 この問題を解決するために、当社のトリプルビーム装置では低加速アルゴンイオン銃を搭載しています。アルゴンイオン銃は、イオンビーム由来のダメージ層を削り取る目的に用… |
製品中分類 | 集束イオンビーム |
研究大分野 | |
研究中分野 | ・セラミックス・ガラス・鉱物・バイオミネラル ・金属・磁性材料 ・半導体材料・デバイス・電子部品・ディスプレイ・照明 ・ナノ材料・触媒・電池材料・複合材料・膜結晶 ・電気 ・電池 |
情報種別 | テクニカルデータ/データシート |
発行日 | 2006/04/01 |
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No. | APPLICATION_SMI_005 |