Hitachi

サイト名称 日立ハイテク

タイトル 斜め加工によるTEM試料作製
詳細リンク APPLICATION_SMI_006
概要 FIBによる断面加工及びTEM試料作製において材質の違いによりエッチングレートの差が顕著に現れることがあります。例えばSi層上にAlやCu配線が存在する場合、配線部分のエッチングレートがさがりカーテン効果として表れ、加工断面に厚みの違いによる筋が入ってしまいます。それら加工斑による厚みの違いはTEM観察において大きな妨げとなっています。
そこで今回は試料を斜めに取り付け、イオンビーム入射角を変えることで簡単に筋引きを無くす方法を紹介します。
製品中分類 集束イオンビーム
研究大分野
研究中分野 ・セラミックス・ガラス・鉱物・バイオミネラル
・金属・磁性材料
・半導体材料・デバイス・電子部品・ディスプレイ・照明
・ナノ材料・触媒・電池材料・複合材料・膜結晶
・電気
・電池
情報種別 テクニカルデータ/データシート
発行日 2007/08/01
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