| 概要 |
半導体プロセス開発分野において、集束イオンビーム（FIB）によって薄片試料を作製し、透過型電子顕微鏡（TEM）によって観察するという解析方法が確立されています。フォトレジストの微細化において、図1に示した3次元Metrologyが非常に重要な解析手段となっています。TEMによる観察では、レジストのMetrology に相関する3次元情報を提供できます。しかし、フォトレジストのような高分子材料は、電子ビーム（EB）やFIB照射に弱い材質です。益々の微細化に伴い、40nm以降世代のLine&Space… |
