Hitachi

サイト名称 日立ハイテク

タイトル SIM像の特徴
詳細リンク APPLICATION_SMI_012
概要 集束イオンビーム(Focused Ion Beam : FIB)装置では、FIBの走査位置に対応した2次電子強度を輝度信号として用いることで、走査顕微鏡像を得ることができます。この像を2次イオン像顕微鏡(Scanning Ion Microscopy :SIM)像と呼びます。
SIM像のコントラスト(像の明暗)は、Ga+イオンが試料に照射された時の2次電子の発生量の違いで表現されます。2次電子の発生量は、試料の材質の他に、試料の結晶方位や帯電状態の影響を強く受け、SIM像に特…
製品中分類 集束イオンビーム
研究大分野
研究中分野 ・セラミックス・ガラス・鉱物・バイオミネラル
・金属・磁性材料
・半導体材料・デバイス・電子部品・ディスプレイ・照明
・ナノ材料・触媒・電池材料・複合材料・膜結晶
・電気
・電池
情報種別 テクニカルデータ/データシート
発行日 2010/06/01
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