| 概要 |
二次電子像観察において、試料の凹凸を忠実に把握することは長年の課題であり、数多くの研究者が取り組んできました。これは、二次電子像を形成するコントラストが、式1）に示すように電子線入射角に依存することから、特に、図1のような入射角の等しい凸部、凹部においては、その凸凹形状を一見して判断することは困難です。しかし、最近反射電子信号を利用した三次元形状解析装置が開発され、比較的容易に試料形状を把握することが可能となりました。
そこで今回は、二次電子像コントラストから、より正確な試料表面の凹凸を把握する手法として、反射電子信号による三次元測定と二次電子像との対比を種々の試料に対して試みたので以下紹介します。
キーワード：三次元測定,2次電子像コントラスト,鳥瞰図 |
