| 概要 |
半導体デバイスのプロセス管理では、露光やエッチング条件を最適化する目的でSEMによる断面観察を行っています。この場合、ウェーハ上の任意箇所へき開（割断）することで十分に評価が可能です。
一方、半導体デバイスの故障解析では特定箇所の内部構造尾を評価する必要性があり、FIBによる断面加工後、SEMで評価することが一般化しました。しかしながら半導体デバイスのさらなる高集積化と高速化に伴い、ナノレベルの評価ニーズが高まってきました。
そこで今回は、FIB-SEM共用ホールダを用いて試料薄片化し、S-5200による高分解能観察が期待されるSTEM検出器を用いて半導体デバイスの評価を行いましたので紹介します。
キーワード：STEM,明視野像,暗視野像,半導体デバイス評価 |
