| 概要 |
近年、走査電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope:以下SEM)は、半導体部品・素子などの評価装置として広く利用されています。これは、SEMが他の評価装置に比べて、試料形状や大きさの制約が少なく前処理も比較的容易であること、また、電子ビーム照射により試料から得られる情報媒体が、(1)二次電子、(2)反射電子、(3)吸収電子、(4)X線など多岐にわたり、これらが各々異なる知見をもたらすなどの理由が挙げられます。
今回は、半導体素子のPN接合部の観察やブレークダウン現象の解析に広く利用されている電子起電力像（Electron Beam Induced Current Image:以下EBIC像）についてその観察方法といくつかの応用例を紹介します。
キーワード：EBIC像,PN半導体、拡散層,TTL,IC,ブレークダウン現象 |
