| 概要 |
半導体デバイスの高集積化・高密度化が進む中で、コンタクトホールのオープン血管や配線ショートなどデバイス内部で生じる電気的欠陥解析の重要性が増加しています。このような電気的欠陥部位の特定およびその解析は一般に困難を伴い、従来は最終工程における電気的な試験方法に頼らざるを得ず、製造工程の早い段階で歩留まりを管理することが困難でした。
当社では、このようなっ電気的内部欠陥の早期発見による歩留まり向上を効率的にサポートする半導体検査・解析システムとして、I-5320形SEM式ウェーハ検査装置、FB-2100形集束イオンビーム加工観察装置、S-5200形超高分解能走査電子顕微鏡が製品化されています。
今回は、半導体検査・解析システムを構成する各装置の特徴と本システムを用いた電気的内部欠陥の解析事例を紹介します。
キーワード：SEM式ウェーハ検査装置,FIB,STEM,電位コントラスト,マイクロサンプリング,共用ホルダー,プラグ血管,オープン不良,リーク不良 |
