| 概要 |
FIB（Focused Ion Beam：集束イオンビーム）加工観察装置は、局所領域の微細加工が可能であり、TEM（透過電子顕微鏡）薄膜試料作製装置として、半導体デバイスの開発や故障解析に必要不可欠になっています。そのFIB加工法をさらに発展させたFIBマイクロサンプリング法は、バルク試料の特定箇所から直接、TEM観察部位を摘出できるユニークな前処理法として、広く利用されています。
一方、半導体不良解析において、しばしばその平面観察と同時に断面観察が必要な場合があります。今回は、マイクロサンプリング法の応用による同一箇所からの平面および断面試料摘出の手順およびその観察例について紹介します。
キーワード：マイクロサンプリング法,三次元構造解析,SRAM,DRAM,TEGパターンSIM像,Dark-Field STEM像,Bright-Field STEM像 |
