概要 |
最近、半導体の層間絶縁膜に低誘電率層間絶縁膜(Low-k材)が用いられています。このLow-k材は電子線照射により収縮しやすいため、電子顕微鏡用薄膜試料作製時のダメージが問題になっています。今回、集束イオンビーム(FIB: Focused Ion Beam)加工途中での断面走査電子顕微鏡(SEM: Scanning Electron Microscope)観察を一切行わず、加工位置を正確に決定できる手法を開発しました。
キーワード:FIB,Low-k材,試料冷却,低損傷,高位置精度薄膜作製法,マイクロサンプリング法,階段状加工,水平補正,シュリンク |