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アプリケーション:S-5000によるSiC合成過程の観察 (429KB)
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タイトル
S-5000によるSiC合成過程の観察 (429KB)
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sem086
概要
ダイレクトヒーティングホルダーを用いて1,000℃付近における金粒子表面の構造変化を動的に観察した例については、テクニカルデータ シートNo.79でご紹介しました。今回は、加熱温度1,500℃におけるSiとグラファイトの反応によるシリコンカーバイド(SiC)の合成と、合成したSiCの1,700℃における焼結過程の観察をご紹介します。
キーワード:高分解能SEM,In-Lens FESEM,ダイレクトヒーティングホルダー,試料加熱
製品中分類
電界放出形走査電子顕微鏡(FE-SEM)
研究大分野
・材料
・エネルギー
研究中分野
・セラミックス・ガラス・鉱物・バイオミネラル
・金属・磁性材料
・半導体材料・デバイス・電子部品・ディスプレイ・照明
・ナノ材料・触媒・電池材料・複合材料・膜結晶
・電気
・電池
情報種別
テクニカルデータ/データシート
発行日
2010/06/15
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No.
sem086
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