概要 |
半導体デバイスの高集積化に伴い、その内部構造の微細化、複雑化が急速な勢いで進行しています。特に、メモリデバイスのキャパシタセルでは、ストレージノードに貯える容量を増大させる目的で複雑な構造が採用されています。このため、へき開面やFIBによる加工面の二次元的な解析だけでは、不良原因を特定することが困難になりつつあることから、デバイスの内部構造を走査電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope、以下SEM)で立体的に解析したいという要求が高まっています。今回は、CTスキャンなどで試みられている三次元手法に着目し、半導体内部構造の立体像構築を試みましたので紹介します。
キーワード:半導体デバイス,立体構築,任意断面観察 |