| 概要 |
最近の半導体記憶素子は高集積化が進んでおり、デバイス内部の構造は微細化の一途を辿っています。その微細化した構造評価における透過電子顕微鏡（TEM）の役割は益々高くなっていますが、TEM観察を行う上で、まず問題となるのは試料の薄片化です。現在、デバイスのTEM試料作製には、FIB加工観察装置が最も多く用いられていますが、デバイス内部構造の微細化にともない、目的とする領域を正確に薄片化することが、次第に困難になってきました。
HF-2000分析電子顕微鏡の付属機能として開発された二次電子像観察装置は、そのFIB加工における加工位置精度向上に有効であることが、最近の観察で明らかになりました。今回は一例として、16M-DRAMのコンタクトホール中心部薄片化への応用について紹介します。
キーワード：高電圧二次電子像,16M-DRAM,ラインプロファイル |
