| 概要 |
高集積化が進むにつれ、電子デバイスの評価における透過電子顕微鏡（TEM）の役割はますます重要になってきていますが、TEMによるデバイスの評価には、試料の薄片化が必要です。デバイスの場合、評価対象となる領域が特定領域に限られるため、その薄片化には加工位置精度の高い集束イオンビーム（FIB）加工装置が多く用いられています。
しかし、最近では、0.1μm以下の高い加工位置精度が要求されるようになり、通常のFIB加工法では、観察目的箇所の切り出しが困難になってきています。そこで、FIB加工途中の試料を高加速SEMで立体的に観察し、三次元的な構造を把握しながら加工を続けるという方法がFIB加工における加工位置精度の向上に有効であることを確認し、4MDRAMの加工例をテクニカルデータのNo.84で、また、16MDRAMの加工例を同じくNo.88で紹介しました。
今回は、その方法でさらに集積化の進んだ1GDRAMの実験試料の加工観察例についてご紹介します。
*高加速SEM像：透過電子顕微鏡で採用されている加速電圧（例：100～300kV）で観察したSEM像
キーワード：集束イオンビーム,高加速二次電子像,1GDRAM,断面TEM試料作製,SIM（Scanning Ion Microscope）像,コンタクトホール,ステレオ観察,メモリーセル,キャパシタ,ビットライン,COB（capacitor over bitline）,ワードライン,層間絶縁膜 |
