| 概要 |
試料を透過した電子線は、試料を構成する元素特有値のエネルギーを損失しています。
そのため、透過電子をエネルギー分光し、ある特定のエネルギーを持った電子線だけを結像すると、元素分布を反映した元素組成像を得ることが出来ます。これをイメージングEELS法と呼びます。イメージングEELS法は、検出感度が高く、特に軽元素の感度が高いことを特徴としています。今回は、集積化が進む半導体デバイス中の絶縁膜の組成像観察に、イメージングEELS法を応用した例を紹介します。
キーワード：電界放出電子顕微鏡,GIF,EELS,組成像観察,半導体デバイス,集束イオンビーム |
