Hitachi

サイト名称 日立ハイテクノロジーズ

タイトル HD-2000を用いた化合物半導体の観察(670KB)
詳細リンク stem006
概要 半導体ヘテロエピタキシャル構造を持つAlxGa1-xAs/GaAsなどの化合物半導体は、光通信用の材料として注目を集めています。これらの材料は、界面の平坦性が特性を左右するため、原子オーダーの構造評価が必要です。しかし、化合物半導体材料の活性層部は組成差が小さく、また結晶構造も同一であるため、その微細構造解析には透過電子顕微鏡(Transmission Electron Microscopy;TEM)を用いた高分解能観察が不可欠とされていました。最近、このような化合物半導体の評価に暗視野STEM 像が簡単で正確な方法として注目されています。今回は、HD-2000 走査透過電子顕微鏡(Scanning Transmission Electron Microscopy;STEM)の高角度アニュラー検出器を用いた暗視野(High Angle Annular Dark Field;HAADF)STEM 像観察例について紹介します。

キーワード:STEM,HAADF,Zコントラスト,FIB,マイクロサンプリング,EDX,化合物半導体
製品中分類 透過電子顕微鏡(TEM/STEM)
研究大分野
研究中分野 ・セラミックス・ガラス・鉱物・バイオミネラル
・金属・磁性材料
・半導体材料・デバイス・電子部品・ディスプレイ・照明
・ナノ材料・触媒・電池材料・複合材料・膜結晶
・電気
・電池
情報種別 テクニカルデータ/データシート
発行日 2011/12/02
No. stem006