| 概要 |
半導体ヘテロエピタキシャル構造を持つAlxGa1-xAs／GaAsなどの化合物半導体は、光通信用の材料として注目を集めています。これらの材料は、界面の平坦性が特性を左右するため、原子オーダーの構造評価が必要です。しかし、化合物半導体材料の活性層部は組成差が小さく、また結晶構造も同一であるため、その微細構造解析には透過電子顕微鏡（Transmission Electron Microscopy；TEM）を用いた高分解能観察が不可欠とされていました。最近、このような化合物半導体の評価に暗視野STEM 像が簡単で正確な方法として注目されています。今回は、HD-2000 走査透過電子顕微鏡（Scanning Transmission Electron Microscopy；STEM）の高角度アニュラー検出器を用いた暗視野（High Angle Annular Dark Field；HAADF）STEM 像観察例について紹介します。
キーワード：STEM,HAADF,Zコントラスト,FIB,マイクロサンプリング,EDX,化合物半導体 |
