| 概要 |
FB-2100集束イオンビーム（Focused Ion Beam；FIB）加工観察装置を用いて、半導体材料のゲート部近傍の薄膜試料とピラー状サンプル（三次元観察用）を作製しました。また、高輝度、高安定性のSchottky電子銃と高感度X線分析（Energy Dispersive X-ray spectroscope ; EDX）システムを搭載したHD-2300超薄膜評価装置を用いて、ゲート部近傍のドーパント元素の組成分布像を観察1）したので、その応用例を紹介します。
キーワード：EDX,元素マップSTEM,FIB,マイクロサンプリング法,ドーパント |
