| 概要 |
図1は、64層3D NANDフラッシュメモリ平面試料のTEM観察例です。Ethos NX5000を用いてその1層を薄膜加工し、HT7820で観察しました。図1（a）の低倍率像において、円形のメモリホールが規則的に配列していることがわかります。図1（b）では、チャネルホール中心からSiO /Poly Si /SiO /SiN /SiO が同心円状の多層構造になっており、各層がコントラスト良く観察されていることが分かります。また、結晶構造をもつポリシリコンの層において、0.31 nmの結晶格子像が明瞭に観察されています。120 kV TEMを用いることによって3D NANDの微細構造を高コントラストかつ原子レベルの寸法精度で解析可能です。 |
