| 概要 |
フュームドシリカ粒子を極低照射電圧条件下でSEM観察しました。図1は照射電圧0.5kVで観察したフュームドシリカ粒子のSEM像です。Upper検出器(UD)とMiddle検出器(MD)の信号をミックスすることで、二次電子(SE)のエッジ効果による微細形状の強調と反射電子(BSE)による凹凸感を両立した像を取得しました。極低照射電圧条件下で観察することにより、このような絶縁物試料でもチャージアップの影響を軽減でき、かつ粒子表面に存在する10nm程度の微細な凹凸を明瞭に観察することができています。SU7000では静電界・磁界重畳型対物レンズを搭載しており、極低照射電圧条件下でも試料表面の微細形状の高分解能観察が可能です。 |
