サイト名称 日立ハイテク

アプリケーション：カーテニング低減のための断面加工と低加速電圧SEM観察

タイトル カーテニング低減のための断面加工と低加速電圧SEM観察
詳細リンク HTD-FIB-128
概要 NX2000を用いたカーテニング低減のための断面加工方法と低加速電圧SEM観察結果を紹介します。SRAM（SuperH SH7750，SH-4）の試料表面方向からFIB照射しNMOS断面を露出させると、コンタクトプラグとそれ以外の領域のエッチングレート差によるカーテニングが生じます。このカーテニングを低減させるため、NMOS断面に対して斜め方向からFIB照射を行いました。FIBの斜め照射を行うことによりカーテニングが低減し、段差のない断面を加工することができました。
関連リンク（製品）
製品中分類 集束イオンビーム
研究大分野 材料
研究中分野 半導体材料・デバイス・電子部品・ディスプレイ・照明
情報種別 テクニカルデータ/データシート
発行日 2023/04/21
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No. HTD-FIB-128