サイト名称 日立ハイテク

アプリケーション：Cu配線の透過EBSD法による結晶方位測定

タイトル Cu配線の透過EBSD法による結晶方位測定
詳細リンク HTD-FIB-130
概要 薄膜試料を用いる透過EBSD測定は、試料入射後の電子線の広がりが抑制されるため、バルク試料のEBSD測定より高い空間分解能の結晶方位測定が可能です。NX5000のEBSDシステムを用いてCPU（市販品）Cu配線部分の透過EBSDマッピングを取得しました。試料は平面マイクロサンプリング法でピックアップし、100 nm以下の厚さまで薄膜加工しました。
関連リンク（製品）
製品中分類 集束イオンビーム
研究大分野 材料
研究中分野 金属・磁性材料
情報種別 テクニカルデータ/データシート
発行日 2023/04/21
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No. HTD-FIB-130