• 概要

• 特長

• 仕様

概要

• 新型ショットキー電子銃による100 Vまでの低加速観察能力
• 大照射電流によるEBAC像質の向上
• 8探針対応
• 温度依存特性評価用の高低温ステージ
• 探針粗寄せ用の上・横CCDカメラ
• 探針から独立して駆動できる試料サブ・ステージ
• 専用探針交換室
• EBAC（電子線吸収電流像測定）機能
• DI-EBAC（電圧印加型EBAC機能）
• パルス評価機能（特注対応）

5 nmデバイスへのプロービング時のリアルタイムSEM像（加速電圧0.2 kV）

プロービングのイメージ

特長

プローバの位置制御やSEM観察をコントロール可能な集約されたGUI
プローブのアプローチをより確かにするTop view/Side viewを同時に表示

SEM像とEBAC像を同時に表示
より迅速な欠陥箇所発見へのアプローチ

ショットキー電子銃による大照射電流と改良された電圧印加EBACアンプにより、従来では難しかった低抵抗欠陥も可視化

プローブアプローチ時の試料損傷低減に有効な低加速電圧観察能力
100 V/8万倍（ライブ像）
試料：5 nm SRAM

仕様

項目		内容
プローブユニット	ユニット数（探針数）	8
	駆動方式	ピエゾ素子使用
	微動範囲	5 µm（X、Y軸）
	粗動範囲	3 mm（X軸）、5 mm（Y軸）
試料ステージ/ ベースステージ	試料サイズ	15 mm×15 mm、厚1 mm以下
	移動ポジション	測定位置、試料交換位置、探針交換位置
	試料交換/探針交換	予備排気室付き
	プローバ	プローブ位置へのステージ移動
	ナビゲーション	測定位置記憶
探針粗調整	CCD像表示機能	横方向/上方向からの観察像表示
電子光学系	電子銃	ショットキー形電子銃
	加速電圧	0.1～30 kV
	イメージシフト	±75 µm以上（1.0 kV、WD＝5 mm）
EBACアンプ/ 画像表示	アンプ種	Currentアンプ/Differentialアンプ/DIアンプ
	画像表示	SEM像/EBAC像
		単独/並列/重ね合わせ表示
	画像処理	白黒反転表示、カラー表示機能、明るさ調整、スロースキャン積算、ベルトスキャン