サイト名称 日立ハイテク

超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡 SU9600

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最高分解能 × 高スループット × 自動/省力化
新しいフラグシップモデル「SU9600」誕生。

半導体の微細化や先端材料の開発には、ナノレベルでの形態観察が不可欠です。日立ハイテクは、サブナノメートル分解能を保証するSEMの開発に取り組んできました。
新製品の「SU9600」は、従来機*1から継承した0.4 nm（30 kV）の世界最高分解能*2と、安定した高分解能観察とスループット性能により、次世代材料の研究‧評価を力強く支援します。

*1
SU9000II
*2
2025年10月現在

価格：お問い合わせください

取扱会社：株式会社 日立ハイテク

SU9600の特長

  • 日立独自技術が実現する高分解能観察
  • 効率性と高解像度を両立する次世代撮像機能
  • 各種機能による自動化、省力化

Core Technology

コールドFE電子源

高分解能観察能力に優れたコールドFE電子源が1972年に商用化されて以来、日立ハイテクは常に技術の改良に努めてきました。最新の電子銃を用いた装置では、高輝度領域で安定して電子線を照射することが可能になりました。SU9600では、低加速電圧においても高いS/Nで画像を取得するとともに、長時間測定や大電流照射分析での使用も可能です。

Image quality evaluation resist
コールドFEチップ先端

ExB

互いに直交する電界と磁界（ExBフィールド）を対物レンズ上部に形成することで、一次電子の軌道を変えずに二次電子を効率よく検出することができます。これにより少ないプローブ電流でもS/Nやコントラストに優れた像が得られます。

Image quality evaluation resist

低収差のインレンズ型対物レンズ

インレンズ型対物レンズは、短焦点距離の実現により球面収差や色収差の影響を効果的に抑制します。これにより汎用型レンズと比較して高分解能な画像が得られ、数ナノメートル以下の微細構造の安定した観察が可能です。

Image quality evaluation resist
試料：SRAM（GAA構造断面）
加速電圧：7 kV
倍率：1,000 kX

検出器紹介

様々な検出器により二次電子/反射電子/透過電子信号が取得可能です。また、二次電子信号制御が可能になったことで、材質に合わせた多様な観察が提供可能となりました。新規開発されたシンチレータ型反射電子検出器（VCD）では応答速度の向上により、部位を特定しやすくなりました。

*
オプション

スキャン機能の強化

様々なスキャン機能の強化により、目的に合わせた画像取得が可能です。これにより作業効率化を実現しました。各種スキャン機能は自動化支援機能 EM Flow Creator*との連携が可能です。

［強化内容］

  • 幅広いDwell Time設定
  • 視野内の関心領域のみ任意箇所の撮像*
  • 最大40,960×30,720pixelsの高精細キャプチャー*
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オプション

主な仕様

項目内容
電子銃冷陰極電界放出形電子銃
二次電子分解能0.4 nm（加速電圧：30 kV）
1.0 nm（加速電圧：1 kV）
0.6 nm（照射電圧：1 kV*1）
STEM分解能*20.34 nm（加速電圧：30 kV / 走査透過電子像による格子像）
加速電圧0.5 ～ 30 kV
照射電圧*10.01 ～ 20 kV
倍率80 ～ 3,000,000 x
最大画素数10,240 × 7,680、40,960 × 30,720*2
ステージサイドエントリーゴニオメーターステージ
試料ステージ可動範囲X： ±4.0 mm、Y： ±2.0 mm、Z： ±0.3 mm、T： ±40 °
最大搭載
試料サイズ		平面試料台5.0 mm × 9.5 mm × 3.5 mm（高さ）（最大）
断面試料台2.0 mm × 6.5 mm × 5.0 mm（高さ）（最大）
検出器検出器二次電子検出器（SE/BSE 信号　検出比率可変機能付）
Top 検出器*2
VCD（Variable Crystal Detector）*2
BF/DF Duo-STEM 検出器*2
エネルギー分散形X線検出器*2
*1
リタ―ディング機能ユニット（オプション）使用時。
1 kV分解能数値はリタ―ディング用平面ホルダー/Top検出器（オプション）使用時の値です。
*2
オプション

製品関連情報